近日，記者從深圳平湖實(shí)驗(yàn)室獲悉，該實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)在低壓(15V-40V)氮化鎵(GaN)功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，成功研制出高性能低壓GaN E-HEMT(增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管)器件，關(guān)鍵性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，為高效、高功率密度計(jì)算芯片供電提供全新解決方案。
當(dāng)前，隨著人工智能的快速發(fā)展，計(jì)算芯片對(duì)供電系統(tǒng)在效率與功率密度方面提出了更高要求。傳統(tǒng)硅基功率器件在性能提升上已逐漸接近物理極限，而作為寬禁帶半導(dǎo)體代表之一的GaN器件，憑借其高電子遷移率、高速開(kāi)關(guān)等特性，被視為下一代高效功率轉(zhuǎn)換的核心。然而，在低壓應(yīng)用場(chǎng)景中，GaN器件的成本與性能優(yōu)勢(shì)尚未完全顯現(xiàn)，成為制約其大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸。
面對(duì)這一挑戰(zhàn)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室低壓氮化鎵研發(fā)團(tuán)隊(duì)依托實(shí)驗(yàn)室先進(jìn)的8英寸硅基GaN科研中試平臺(tái)，先后攻克了一系列關(guān)鍵技術(shù)難題，成功研制出高性能15V-40V GaN E-HEMT器件。其中代表性的25V器件的關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，大幅突破傳統(tǒng)硅基技術(shù)的性能極限。
