上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.

尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統
• 高效的等離子轉換和穩定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術參數:

型號	eH 400 / eH 400 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300 V VDC
- 離子源直徑	~ 4 cm
- 陽極結構	模塊化
電源控制	eHx-3005A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	3.0'
- 直徑	3.7'
- 加工材料	金屬 電介質 半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	6-30”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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